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Samsung

KLM4G1FETE-B041

描述

4GB 供电2.7V～3.6V In auto power saving mode 40uA @25摄氏度 85uA @85摄氏度 11*10*0.8 153PIN

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KLM8G1GETF-B041

描述

8GB 供电2.7V～3.6V In auto power saving mode 40uA @25摄氏度 85uA @85摄氏度 11.5*13*0.8 153PIN

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KLMAG1JETD-B041

描述

16GB 供电2.7V～3.6V In auto power saving mode 40uA @25摄氏度 85uA @85摄氏度 11.5*13*0.8 153PIN

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KLMBG2JETD-B041

描述

32GB 2.7V～3.6V In auto power saving mode 50uA @25摄氏度 135uA @85摄氏度 11.5*13*0.8 153PIN

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KLMCG4JETD-B041

描述

64GB 2.7V～3.6V In auto power saving mode 60uA @25摄氏度 135uA @85摄氏度 11.5*13*0.8 153PIN

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K4A8G085WC-BIWE

描述

DDR4 4Gb 1G*8 速率 3200 电压1.2V 78 FBGA

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KLM4G1FETE-B041

4GB 供电2.7V～3.6V In auto power saving mode 40uA @25摄氏度 85uA @85摄氏度 11*10*0.8 153PIN

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KLM8G1GETF-B041

8GB 供电2.7V～3.6V In auto power saving mode 40uA @25摄氏度 85uA @85摄氏度 11.5*13*0.8 153PIN

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16GB 供电2.7V～3.6V In auto power saving mode 40uA @25摄氏度 85uA @85摄氏度 11.5*13*0.8 153PIN

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32GB 2.7V～3.6V In auto power saving mode 50uA @25摄氏度 135uA @85摄氏度 11.5*13*0.8 153PIN

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64GB 2.7V～3.6V In auto power saving mode 60uA @25摄氏度 135uA @85摄氏度 11.5*13*0.8 153PIN

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DDR4 4Gb 1G*8 速率 3200 电压1.2V 78 FBGA

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